俄羅斯在 3 月 31 日宣布，向莫斯科電子技術學院 (MIET) 撥款 67 億盧布、約 6100 萬港幣，研發全新的 X 射線光刻機，技術比 ASML 公司的 EUV 光刻機更為先進，有望打破西方國家技術制裁，並終止 ASML 公司的壟斷地位。
有別於傳統的 EVU 極紫外線光刻機，X 射線光刻機採用同步加速度配合等離子體源的無遮罩光刻技術，由於 X 射線的波長介乎 10nm 至 0.1nm，相較 EUV 更短，理論上提供更高的光刻分辨率，實現更先進的制程工藝。
X 射線光刻機另一個特點，就是可以直寫光刻，無需要用光掩遮罩，因此成本上也可大大降低，俄媒更宣傳此將打破西方在晶片技術上的制裁，同時能打破 ASML 公司多年以來的壟斷。
不過，其實美國、中國及歐洲多國均曾經研究 X 射線光刻技術的可行性，但最終也是放棄收場。