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    反制西方制裁 俄羅斯撥款 67 億盧布研發 X 射線光刻機

    俄羅斯在 3 月 31 日宣布,向莫斯科電子技術學院 (MIET) 撥款 67 億盧布、約 6100 萬港幣,研發全新的 X 射線光刻機,技術比 ASML 公司的 EUV 光刻機更為先進,有望打破西方國家技術制裁,並終止 ASML 公司的壟斷地位。

    有別於傳統的 EVU 極紫外線光刻機,X 射線光刻機採用同步加速度配合等離子體源的無遮罩光刻技術,由於 X 射線的波長介乎 10nm 至 0.1nm,相較 EUV 更短,理論上提供更高的光刻分辨率,實現更先進的制程工藝。

    X 射線光刻機另一個特點,就是可以直寫光刻,無需要用光掩遮罩,因此成本上也可大大降低,俄媒更宣傳此將打破西方在晶片技術上的制裁,同時能打破 ASML 公司多年以來的壟斷。

    不過,其實美國、中國及歐洲多國均曾經研究 X 射線光刻技術的可行性,但最終也是放棄收場。

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