AI 摘要
- 三星為英偉達開發8層HBM4E
- 目標提升約20%傳輸速度
三星電子正應英偉達要求，開發一款8層堆疊式HBM4E高頻寬記憶體（HBM）晶片。據悉，這款產品的目標傳輸速度為17Gbps至18Gbps，較三星目前樣品約14.4Gbps的速度提升約20%，未來有望整合至英偉達預計於2027年推出的Rubin Ultra AI GPU。
英偉達要求改採8層堆疊架構
這款8層堆疊式HBM4E被定位為第7代高頻寬記憶體產品，並被視為英偉達推進客製化記憶體平台NVHBM的重要一步。英偉達已要求三星將HBM4E的堆疊層數，從原先規劃的12層及16層調整為8層架構。
堆疊層數降低，並不代表產品效能必然下降。8層設計可降低封裝高度，減輕散熱與封裝方面的挑戰；若同時提高單腳傳輸速度，仍可支援AI加速器對資料吞吐量的需求。較少的DRAM用量亦可能有助提升生產良率、降低成本，並為大規模出貨提供條件。
AI記憶體設計轉向平衡頻寬與功耗
過去HBM產品主要朝增加堆疊層數的方向發展，以提升整體容量與頻寬。不過，AI晶片持續追求更高效能的同時，也面臨功耗、散熱、封裝高度及封裝良率等限制，因此低堆疊設計仍具一定市場空間。
三星8層HBM4E的設計，反映AI晶片記憶體方案正由單純擴大容量，轉向在頻寬、功耗、散熱、成本及量產能力之間取得平衡。
NVHBM將記憶體控制器移至HBM底部
英偉達近期發布的NVHBM技術平台，核心概念是把原本位於GPU上的記憶體控制器，移至HBM堆疊底部的基片上，藉此提升HBM與GPU整體運作效能。
NVHBM預計應用於英偉達下一代AI GPU平台Rubin Ultra。相關平台將大幅增加GPU之間的互連數量，從目前最多72條鏈路提升至576條鏈路，目標是進一步改善記憶體頻寬與互連效率。
仍處研發驗證階段，量產仍有變數
目前三星的8層HBM4E仍處於研發及驗證階段，17Gbps至18Gbps的目標傳輸速度也明顯高於目前樣品的14.4Gbps。產品能否進一步轉化為實際訂單，仍取決於多項因素。
- 量產良率能否達到客戶要求
- 高速傳輸下的電源管理表現
- 封裝與散熱設計是否符合平台需求
- 英偉達客戶驗證及後續導入進度
因此，8層HBM4E能否最終應用於Rubin Ultra，現階段仍屬未確認事項。其實際商業化進度，將視三星後續驗證結果及英偉達平台整合狀況而定。
Reference Link : inews.hket.com
