在日前舉行的 Flash Memory Summit 峰會上，SK Hynix 公佈旗下 NAND Flash 產品的未來發展路線圖，新款的 Flash 產品稱為“4D NAND”，由 3D NAND Flash 技術演變出來，相比起 3D NAND 能夠最大限度地減小佔用空間及降低成本。
SK Hynix全新推出的 4D NAND 採用 Charge Trap Flash（CTF）設計，使儲存單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。與傳統架構相比，4D NAND 的 PUC（Periphery Under Cell）位於儲存單元下方，可縮小晶片的面積、縮短處理工時、降低成本，因此在未來可以製造容量高達 64TB 的 U.2 SSD。
SK Hynix 4D NAND 初期是 96 層堆疊的 512Gb TLC，I/O 接口速度 1.2Gbps（ONFi 4.1標準），預計將在今年 Q4 送樣，SK Hynix 將基於 4D NAND 推出BGA 封裝（16mmx20mm）容量高達 2TB 的 SSD，U.2 eSSD 容量可達 64TB，預計將在 2019 上半年送樣。
性能方面，V5 4D 晶片面積相較於 V4 3D 減小 20%、讀速提升30%、寫速提升 25%。另外，V5 4D 也規劃採用 QLC NAND Flash，通過 96 層堆疊，單Die 最小 1Tb，明年下半年出樣。
SK Hynix 亦表示，內部的 4D NAND 已經推進到了 128 層堆疊，很快可以做到單晶片 512GB，2025 年做到單晶片 8TB。目前，SK Hynix 的 3D NAND 是72 層堆疊，單晶片最大 512Gb（64GB），首款企業級產品 PE4010 已於今年 6 月份出貨給 Microsoft Azure 伺服器。
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