在過去的一年多的時間裡，快閃記憶體產業正處於新一輪的技術更新和轉型期。這個時期，不僅對業界來說是充滿變革的，對消費者來說也是一個充滿變化和新鮮感的時間。在這個階段，我們看到了很多新的技術和創新走向的出現。其中，最主流的SSD產品，大多數都使用TLC和QLC記憶體，並且結合了128到192層的3D堆疊技術。這種技術組合不僅提高了記憶體的儲存密度，也為消費者提供了更高效能的產品選擇。
各大快閃記憶體供應商的競爭焦點，一方面是放在200層等級3D堆疊技術的實用化上，另一方面則是在擴展QLC應用範圍，發展密度更高、每儲存單元保存更多位元資料的PLC記憶體，以及300層等級的堆疊技術。
在這場競爭中，我們可以看到各家供應商都在積極進行技術研發和市場拓展。例如在QLC方面，目前全球六大主要的快閃記憶體供應商，包括三星、美光、SK hynix 、Solidigm、Kioxia/WD，以及長江儲存（YMTC），全部都已經能夠提供QLC記憶體產品。這些產品不僅提供了更高的儲存密度，也為消費者帶來了更多的產品選擇。
同時，在200層等級的3D堆疊技術方面，除了Solidigm以外，其他的主要快閃記憶體供應商都已經推出了200層等級的3D堆疊技術產品。這些產品的發表時間最早的是美光的232層，次之是SK hynix的238層，以及三星的236層。這三家公司都是在2022年下半年推出200層等級產品。這種情況顯示出，200層等級3D堆疊技術已經成為業界的一個重要的發展趨勢。
然而，進入2023年，市場的競爭情況並沒有因此而放緩。相反，我們看到Kioxia/WD在年初就發表了218層產品，接著長江儲存也在年底推出了232層產品。這些新的產品的推出，不僅加劇了市場的競爭，也推動了整個業界的技術進步。
至於Solidigm，雖然目前只有192層的產品，但其儲存密度已經可以對應其他廠商的200層技術。這種情況顯示出，即使是在技術層數上稍微落後的公司，也可以通過提高儲存密度來彌補這種差距。
在超過200層等級的3D堆疊技術方面，SK hynix的步伐最快。他們率先突破了300層的門檻，在2023年中發表了321層堆疊的產品。而三星則是在2024年初發表了280層堆疊的產品。這些新的技術突破，無疑將推動整個業界的發展，也將為消費者帶來更多的產品選擇。
在這個背景下，3D堆疊與多級記憶體單元的結合，已經成為了業界的一個重要的發展趨勢。這種技術組合，不僅可以提高記憶體的儲存密度，也可以提高記憶體的運行效率。這對於消費者來說，無疑是一個非常好的消息。
在多級化儲存單元的發展歷史上，我們可以看到，MLC快閃記憶體早在1990年代後期就已經問世。而TLC和QLC則是在2009年左右開始被應用在產品上。這種技術的發展，不僅提高了記憶體的儲存密度，也使得記憶體的運行效率得到了提升。
至於3D堆疊技術，雖然早在2007年就已經問世，但直到2012年，才由三星率先實際應用在SSD產品上。最初，他們採用的是32層堆疊與SLC的組合。然後，從2014年開始，多級化儲存單元與3D堆疊技術就一同被應用在快閃記憶體產品上。
2014年問世的第一代「多級儲存單元+3D堆疊」快閃記憶體產品，就是MLC與32層3D堆疊的結合。接下來，在2015年出現的第一批TLC SSD產品，則是結合了48層3D堆疊技術。而在2018年誕生的QLC SSD，則是搭配了64層3D堆疊技術。經過了7、8年的發展，目前市場上的產品，已經達到了200層等級3D堆疊結合TLC與QLC。
這種技術的發展，無論是在儲存單元的多級化，還是在3D堆疊技術方面，都是為了提高儲存密度。最終的目的，就是提升快閃記憶體的位元密度，也就是單位面積內可以儲存的資料量。這種技術的發展，無疑將推動整個業界的進步，也將為消費者帶來更多的產品選擇。
在這個發展過程中，我們可以看到，最早的48層堆疊TLC記憶體，位元密度能達到2.6 Gb/mm2左右。而96層的TLC則能超過6 Gb/mm2。隨著技術的進步，128層的TLC可以達到7到8 Gb/mm2。176層的TLC能突破10 Gb/mm2。而最新的232層的TCL則進一步提升到14 Gb/mm2以上。這種技術的進步，無疑對整個業界的發展起到了推動作用。
QLC與3D堆疊技術的結合，更是能有效地提升位元密度。例如，144層的QLC的位元密度就超過了12 Gb/mm2。而176層的QLC則超過了14 Gb/mm2，已經能與232層的TLC相提並論。而最新的232層的QLC，位元密度更是達到了20 Gb/mm2等級。這種技術的發展，無疑對整個業界的發展起到了推動作用。
目前已經實際出貨的快閃記憶體產品中，位元密度最高的款式，就是長江儲存的232層QLC記憶體。這種產品的位元密度達到了20.62 Gb/mm2，這種高密度的記憶體產品，無疑是對消費者來說的一大福音。
而在已經發表、但還未實際出貨的產品中，SK hynix的321層TLC記憶體也擁有20 Gb/mm2等級的位元密度。而三星不久前發表的280層QLC記憶體，則進一步將位元密度提高到了28.5 Gb/mm2。這已經是目前快閃記憶體儲存密度的最高紀錄，已經直逼30 Gb/mm2的大關。這種高密度的記憶體產品，無疑是對消費者來說的一大福音。
在這種情況下，我們將當前的六大主要的快閃記憶體供應商，旗下應用100層以上堆疊技術的快閃記憶體產品，依據位元密度進行了一次整理。從這份整理的結果來看，我們可以得出一個結論：各家供應商的技術層次相去不遠。即使是一些起步較晚的公司（如長江儲存），雖然具有「後發」優勢，他們的產品的容量密度與其他公司的同級產品相比，雖然略有優勢，但差距並不大。這種情況顯示出，整個市場的競爭是十分激烈的。
Source : iThome