在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等廠商都先後公佈成功研發 QLC NAND 及 96 層堆棧 3D NAND 產品的消息，作為全球第一大 NAND 供應商的 Samsung 在早前在日本舉行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會上宣佈已正式量產高達 90 堆疊層數的第 5 代 V-NAND，每個晶片的容量達到1Tbit，同時將會在今年內推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。
「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢，在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND，而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產，全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加，由 64 層提升至 96 層， Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸，並擁有更高功率及性能。同時，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度，比上代 64 層堆疊提升了 40%。
同時，Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片，Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率，並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。
針對數據中心而設的全新 NF1 SSD 看起來像是 M.2 規格，但實際上兩者不太一樣，NF1 傳統上稱為 M.3，是基於 M.2 SSD 並增加了電路板的寬度，M.2 Form Factor 的 SSD 尺寸為 80-110mm 長、22mm 寬，Samsung 採用的則是 NGSFF 規格 ( 長 110mm、寬 30.5mm )，相比 M.2 SSD 更寬，好處是可以並排放下兩組 NAND Flash，有助於提高儲存容量。
Samsung 將基於最新的 3D-NAND 推出 32TB 容量的 SSD，採用 2.5″ SAS 介面、主打企業級市場，使用 2U x 2 尺寸的 HDD 可以實現與 2 機架大小儲存伺服器的相同容量，同時通過兼容 NF1 規格的 SSD，增加伺服器 SSD 的裝載量，隨機性能亦比以往第四代 V-NAND 高 2.5 倍。
除了數據中心、伺服器市場之外， Samsung 還會推出消費級的 QLC SSD 產品，Samsung 指出新的產品將採用 SATA 接口，與 TLC NAND SSD 相比，QLC SSD 同樣可以實現 540MB/s、520MB/s 的讀寫速度，性能上沒有太大的差距。
至於消費級市場的 QLC SSD 預計在下半年問世，雖然理論上 1Tb 核心的 QLC NAND 可以輕鬆做到 5TB 甚至 10TB 以上的容量，不過真正上市的話首發容量不會這麼大，畢竟還是要考慮到消費者的承受力，但是照這個趨勢下去，明年有可能普及 256GB 或 512GB 的 SSD 硬盤。
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