根據網上最新的消息，Intel 與 Micron 合資的企業 IMFlash Technologies ( IMFT ) 公司現面臨著巨大的障礙，用於生產新一代 SSD 產品的 3D QLC NAND Flash 良率低於 50%，估計之下只有一半的晶圓核心可以用於製造 SSD，並將直接影響到 QLC NAND 的成本價格，以每 $/GB 計算的成本比當前一代 3D TLC NAND 更貴。
在 2018 年，各大 NAND Flash 供應商包括 Samsung、Micron、SK Hynix、Toshiba、WD、Intel 等都先後宣佈正打造基於 3D QLC NAND 的產品，當中 Micron 就先拔頭籌在 5 月入份發佈了全球首款為數據中心而設的 QLC NAND SSD「Micron 5210 ION 」，至於其合作夥伴 Intel 則在 8 月發佈面向消費用家的 64 層 3D QLC NAND SSD「660p」，並以低於每 GB 0.20 美元的價格發售作青睞。
根據 Intel 兩星期前發佈的資料，全新 Intel SSD 660p 是業界第一款基於 QLC 客戶端的 PCIe SSD， SSD 660p 提供了 512GB、1TB 及最大的 2TB 容量，採用 M.2-2280 外形尺寸及 PCIe Gen 3 x 4 接口，相比 PCIe x2 接口帶來更寬的總線，因此可提供更高的傳輸速率。
SSD 660p 系列的核心是由 Intel 及 Micron 合資的 IMFlash Technology 研發，採用新型 64 層 3D QLC NAND Flash，搭配 SIlicon Motion SMI 2263 控制器。該晶片是流行的 SMI2262EN 的衍生產品，採用更新的工藝製造，支援 QLC NAND，具有更小的 PCB 尺寸，並由 Intel 提供了定制固件驅動。
然而，最新來自 Tweaktown 的消息指出，Intel 新型 64 層 3D QLC NAND Flash 良率低於預期，目前晶圓的產量只有 48% ，即剩餘的 52% 的晶圓不適合用作生產 SSD，至於 64 層 3D TLC NAND 的產量高於 90%，計算之下 QLC 的製造成本比 TLC 更昂貴。
隨著時間的推進晶圓製造商會將 NAND Flash 的產量提高，但消息卻提到 IMFT 面對的 3D QLC NAND 良量低這個問題或不能完全解決，因此很大機會將目前的 64 層 QLC NAND Flash 轉移至更有利可圖的 96 層 NAND Flash，即使 Intel 對外公佈推出 SSD 660p 產品，但這並不代表 QLC 已準備好取代 TLC。
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