AI 摘要
- 蔡司認為中國研發 EUV 微影機仍可能落後西方約15年。
- 瑞銀評估中國較可能先在 DUV 設備實現量產。
- 深圳 EUV 原型機目前尚未製造出可用晶片。
中國持續投入先進半導體製造設備研發，但與 ASML 及蔡司主導的最尖端極紫外光（EUV）微影技術相比，現階段仍存在明顯差距。德國光學大廠蔡司（Zeiss）半導體部門負責人 Frank Rohmund 接受彭博電視訪問時表示，中國要研發出可用於先進製程的 EUV 微影機，可能仍需要約 15 年。
瑞銀（UBS）分析師團隊本週發布的報告則認為，中國至少要再花 10 年，才可能自行開發足以取代 ASML 頂尖 EUV 技術的方案。不過，這些評估同時指出，中國在較成熟的深紫外光（DUV）微影設備領域，追趕速度可能較快。
蔡司：中國進度難以量化，但不能低估其投入
Rohmund 表示，北京數十年來一直投入資源研發半導體製造設備。對於近期外界流傳中國在 EUV 技術取得進展的消息，他認為這並不令人意外，但真正需要觀察的是相關設備的實際效能，而不是僅看原型機是否能夠運作。
他指出，中國目前在最尖端晶片製造裝置研發方面，大約落後西方 15 年，並形容這個時間表是「合理推測」。不過，他也坦言，中國的實際研發進度難以量化。
Rohmund 強調，蔡司與 ASML 目前仍掌握 EUV 系統中的關鍵光學技術，雙方在相關領域「仍然遙遙領先」。蔡司是 ASML EUV 微影機的光學元件獨家供應商，其零組件用於生產全球約 80% 的晶片；ASML 則是目前全球唯一能製造 EUV 微影機的廠商。
ASML 早於 2017 年以 10 億歐元收購蔡司半導體事業的少數股權，進一步鞏固雙方在高數值孔徑光學、反射鏡及其他 EUV 關鍵元件方面的合作關係。
瑞銀：中國 EUV 水平約相當於 ASML 2004 年
由 Francois-Xavier Bouvignies 帶領的瑞銀分析師團隊，透過檢視中國在光源與雷射子系統相關領域的專利申請活動，評估中國目前的 EUV 技術成熟度。
報告認為，中國現階段的技術水平大約相當於 ASML 在 2004 年的進度，也就是 EUV 設備量產前約 15 年的階段。基於此評估，瑞銀認為中國要在 10 年內開發出足以取代 ASML 頂尖 EUV 技術的設備，難度相當高。
瑞銀同時指出，中國在 2 至 5 年內實現浸潤式 DUV 微影機量產的可能性較高，原因是 DUV 技術相較 EUV 更成熟，設備複雜度與供應鏈門檻也相對較低。
不過，瑞銀預期中國自製微影機的良率與產能仍可能與 ASML 存在差距，加上出口管制及其他監管限制，相關設備初期相信主要會在中國境內使用。
深圳 EUV 原型機仍未產出可用晶片
路透社在 2025 年底的獨家報導指出，一支由 ASML 前工程師組成的團隊，已在深圳一座高度保密的實驗室完成 EUV 原型機。該設備在 2025 年初完成，規模幾乎占滿整層廠房。
據報導，這部原型機目前仍處於測試階段，已能成功產生極紫外光，但尚未製造出可用於實際生產的晶片。中國政府據報設定目標，希望在 2028 年前利用原型機實現晶片生產；參與項目的人士則認為，2030 年可能是較實際的時間表。
報導指出，中國原型機與 ASML 設備的主要差距之一，在於難以取得蔡司提供的精密光學系統。相關團隊需要拆解舊款 ASML 二手零件，並結合日本 Nikon、Canon 的受限制出口零件進行組裝。
這類做法或許有助於建立原型系統，但能否進一步提升光源穩定性、曝光精度、晶圓吞吐量與量產良率，仍須透過實際測試確認。
出口管制可能加速中國自主研發
Rohmund 也談到出口管制對產業的影響。他表示，如果未來限制進一步擴大至傳統 DUV 設備，可能對產業造成不利後果，並明確指出：「我們不相信這些出口管制會帶來正面效果，因為這反而會加速中國創新。」
中國目前是 ASML 上一代 DUV 晶片製造設備的重要市場之一。美國已要求 ASML 部分較先進的浸潤式 DUV 設備出口中國前須取得許可，並全面禁止最先進的 EUV 設備出口至中國。
市場消息亦指出，一家上海企業已開始製造浸潤式 DUV 設備，反映中國在較低階製程與成熟技術領域的進展可能快於 EUV。這並不代表中國已具備與 ASML 競爭尖端 EUV 設備的能力，但顯示出口限制下的本土替代布局正逐步延伸至更多設備類別。
設備價格與技術差距仍是主要門檻
| 設備類型 | 文中提及的價格 | 技術定位 |
|---|---|---|
| 最先進 EUV 微影機 | 逾 2 億美元 | 用於最尖端晶片製程 |
| 浸潤式 DUV 微影機 | 約 9,000 萬美元 | 技術成熟度較高，應用範圍較廣 |
ASML 最先進 EUV 微影機的造價超過 2 億美元，浸潤式 DUV 微影機則約為 9,000 萬美元。除了設備價格差異，EUV 系統還涉及高功率光源、超精密反射光學、真空環境、曝光控制及整體設備整合，任何單一子系統不足都可能影響最終量產表現。
目前各方評估普遍認為，中國要在最尖端晶片製造領域完全追上西方仍需要相當長的時間。不過，在 DUV 等較成熟技術上，中國縮小差距的速度可能比市場原先預期更快，這也將成為未來全球半導體設備競爭與出口管制政策的重要觀察焦點。
Reference Link : technews.tw
