Samsung在Flash Memory Summit 2026（FMS 2026）發表多項面向人工智慧運算的新記憶體技術，包括zHBM（stacked HBM）與採用400層以上堆疊架構的V10 BV-NAND。Samsung表示，zHBM可改善AI晶片與記憶體之間的資料傳輸效率，整體AI運算速度最高可提升8倍。
zHBM將高頻寬記憶體堆疊於AI晶片上方
zHBM是Samsung研發的3D堆疊記憶體技術，核心概念是將高頻寬記憶體（HBM）直接堆疊在AI晶片上。相較於傳統記憶體與處理器分離的架構，這種設計旨在縮短資料傳輸距離，減少AI運算過程中反覆搬移資料所造成的延遲與頻寬限制。
Samsung半導體部門表示，zHBM的記憶體頻寬最高可達HBM5的8倍，並稱這項架構有助於提升AI運算效率。不過，現階段公開資訊主要集中在技術方向與性能宣稱，尚未提供完整的頻寬數值、介面規格、功耗數據或相容的AI晶片型號。
V10 BV-NAND採用晶圓鍵合技術
除了zHBM之外，Samsung也公布新一代V10 BV-NAND。該產品採用Wafer Bonding（晶圓鍵合）技術，將400層或以上的NAND Flash晶片整合在同一封裝中，目標是提高儲存密度並改善資料存取效率。
- 密度：Samsung宣稱提升58%。
- 功耗：Samsung宣稱降低30%。
- 效能：讀寫速度預期可獲得大幅改善，但目前未公布具體讀寫數字。
AI記憶體瓶頸成為技術競爭焦點
隨著AI模型規模持續擴大，模型訓練與推理需要處理的資料量也同步增加。當處理器的運算能力提升至一定程度後，資料在處理器、記憶體與儲存裝置之間傳輸所需的時間，可能成為整體系統效能的限制，這類問題通常被稱為「記憶體牆」（Memory Wall）。
Samsung此次發布的zHBM與V10 BV-NAND，分別從高頻寬記憶體整合及高密度NAND儲存兩個方向回應AI工作負載需求。前者著重於縮短AI晶片與記憶體的資料路徑，後者則針對資料儲存密度、功耗與存取效能進行改善。
預計2027年量產，初期瞄準雲端與AI晶片業者
Samsung表示，zHBM與V10 BV-NAND預計於2027年開始量產，初期將優先供應大型雲端服務供應商及AI晶片開發商。實際上市時間、供應規模、定價以及能否廣泛搭配不同AI加速器，仍需等待Samsung公布更多產品與量產資料。
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