中國兩大記憶體廠傳擴產逾一倍，瞄準 AI 與 HBM 需求

隨著人工智慧運算需求推升 DRAM、HBM 與 NAND Flash 等記憶體產品的需求，市場傳出中國兩家主要記憶體廠商正加速擴充產能。根據日經新聞 7 月 7 日報導，長鑫存儲技術（CXMT）與長江存儲科技（YMTC）均規劃興建新工廠，預計在 2027 年以後，整體產能可能擴增至目前的兩倍以上。

相關擴產計畫若如期推進，除了反映中國業者爭取 AI 半導體需求的策略，也可能影響全球記憶體市場的供需平衡與價格走勢。不過，實際產能釋出時間仍取決於工廠建設、設備導入與量產進度。

CXMT 擴大 DRAM 與 HBM 產能

CXMT 主要生產 DRAM，並投入堆疊式 DRAM 產品高頻寬記憶體（HBM）的開發與製造。據業界相關人士說法，CXMT 目前據悉利用安徽省合肥市的工廠生產 HBM，另有一座位於上海市、正在興建中的新工廠，計畫於 2027 年全面量產。

報導指出，待上海新廠投入生產後，CXMT 的整體產能預估將增至現行的兩倍以上。HBM 是 AI 加速器與高效能運算系統的重要記憶體元件，能透過高頻寬傳輸支援大量資料交換，因此成為生成式 AI 伺服器供應鏈中的關鍵產品。

YMTC 提前武漢新廠量產規劃

YMTC 的主要產品包括 NAND Flash，以及以 NAND Flash 為關鍵零件的固態硬碟（SSD）。該公司目前正在湖北省武漢市興建第三座工廠，並據報將量產時間從原先規劃的 2027 年提前至 2026 年底。

除武漢第三座工廠外，YMTC 也規劃追加興建兩座工廠。若相關工廠最終全部投產，市場預估 YMTC 的 NAND Flash 產能將增至現行的兩倍以上。

兩家公司市占率均較去年同期上升

香港調查公司 Counterpoint 資料顯示，2026 年第一季（1 至 3 月），CXMT 以金額計算的全球 DRAM 市占率為 8%，較去年同期增加 5 個百分點；YMTC 的全球 NAND Flash 市占率則為 13%，同樣較去年同期上升 5 個百分點。

擴產可能改變記憶體價格走勢

市場預期，CXMT 與 YMTC 若持續增加供給，可能緩解目前記憶體產品供應緊張的情況，並遏止全球記憶體價格持續上漲的態勢。港媒財華社指出，若新工廠集中在 2027 年下半年投產，供需可能重新趨於平衡，記憶體價格上漲週期也有機會接近尾聲。

然而，上述影響仍取決於 AI 伺服器、資料中心、個人電腦與智慧型手機等終端市場的實際需求，以及新產能能否按照規劃投產。尤其 HBM 涉及堆疊、封裝與良率等製程要求，產能擴充不僅取決於晶圓廠數量，也與設備、技術成熟度及供應鏈整合能力有關。

目前已知資訊主要來自日經新聞報導與業界人士說法，CXMT、YMTC 的最終投資規模、產品規格與實際量產進度，仍有待兩家公司進一步公布。