TrendForce：2027年記憶體市場分化，DRAM供給續緊、NAND Flash轉向寬鬆

TrendForce最新記憶體產業研究指出，2027年記憶體市場將呈現明顯分化。AI應用持續主導需求，帶動伺服器、HBM與企業級SSD採購，但DRAM與NAND Flash受到不同供給條件及終端需求影響，價格與供需走勢將各自發展。

其中，DRAM受到HBM排擠一般型產品產能，加上AI伺服器需求強勁，CPU記憶體與HBM採購動能持續增加，市場供給仍可能處於緊張狀態。相較之下，NAND Flash在新產能集中開出、消費性電子需求疲弱的情況下，預計於2027年下半年逐步轉向供給寬鬆，價格面臨修正壓力。

DRAM供給增幅仍落後需求

TrendForce表示，為因應AI基礎建設擴張帶來的中長期需求，主要DRAM供應商已提前啟動產能擴充計畫。短期內，供應商將透過提高既有廠區產能、加速製程升級，以及降低產品轉換頻率，支撐2026年整體位元供給成長。

2027年雖有數家供應商規劃新產能陸續投產，但受到廠房建置時程、設備移機及原物料等前置作業限制，多數新廠要到2027年下半年才會開始投片放量。考量記憶體生產週期，新產能對整體產出的明顯貢獻可能要到2028年才會逐步顯現。

此外，HBM製造所需的晶圓投入量遠高於一般型DRAM，新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。上述因素將限制2027年DRAM整體位元供給成長，使市場供應能力維持緊縮。

AI伺服器需求支撐DRAM市場

需求方面，北美雲端服務供應商（CSP）持續提高資本支出，英特爾與AMD新世代CPU平台加速出貨，加上代理型AI逐步商業化，均有望推動伺服器市場成長。TrendForce預估，2027年全球伺服器出貨年增幅度將高於2026年的17%。

同時，單機HBM搭載容量增加，以及SOCAMM等新規格導入，將推升單機記憶體容量，讓2027年DRAM需求位元成長維持高檔。相對地，智慧手機與筆電等消費型終端，可能因品牌廠轉嫁零組件成本，導致整機售價上調並削弱消費者換機意願，2027年出貨表現預料仍將維持衰退。

TrendForce指出，2026年DRAM供應與需求位元差距的供需充足率（sufficiency ratio）約為-1%至-2%。由於2027年需求增速可能超越供給成長，供需缺口預計進一步擴大，記憶體價格也將維持偏強走勢。

若主要CSP的資本支出維持歷史高點，部分業者甚至可能出現負現金流；若2027年記憶體價格持續處於高檔，記憶體採購在CSP整體資本支出中的占比也會上升。這是否會影響CSP對2027年資本支出的規劃，進而改變記憶體採購策略，仍有待後續觀察。

NAND Flash新產能釋放，供需結構可能反轉

2026年NAND Flash供應商主要透過製程升級增加位元供給。由於AI伺服器及高容量企業級SSD需求強勁，供應商持續提高相關產品的供給比重，以降低消費端需求疲弱可能帶來的獲利風險。

進入2027年後，各大廠將加速轉進高層數產品，同時新廠產能逐步釋放，預計NAND Flash位元供給成長幅度將高於2026年，市場產出規模也會明顯擴張。

需求方面，伺服器部署仍維持穩健，CSP與企業客戶對高速、大容量企業級SSD的採購力道強勁，其中以QLC SSD的需求最為突出，預料將成為支撐2027年NAND Flash位元需求成長的主要產品。消費性電子則可能受到終端售價上漲影響，整體買氣持續承壓。

在產能陸續開出、消費性電子需求偏弱的雙重作用下，NAND Flash市場供需可能於2027年出現結構性反轉。TrendForce預先提出，2027年NAND Flash供需充足率可能轉為正值，市場格局將由供給緊張轉向寬鬆，價格也因此面臨修正壓力。

不過，若代理型AI的普及取得突破性進展，並進一步推升高速SSD需求，NAND Flash整體供需仍可能接近平衡，市場實際走勢將取決於AI應用落地速度與新產能釋放節奏。

2027年記憶體市場重點