AI 摘要
- DDR4 合約價近三個月累計上漲 24%，漲幅超過 DDR5 的 20%。
- 花旗預測 DRAM 與 NAND 供應缺口將持續至 2028 年，DRAM 缺口峰值預計達 13.9%。
- AI 應用帶動 HBM 產能需求，排擠效應進一步加劇全球記憶體供應緊張。
根據投資銀行巴克萊（Barclays）發布的最新產業報告，全球記憶體市場正歷經劇烈價格波動，其中 DDR4 晶片的合約價格在過去三個月內累計飆升達 24%。這項漲幅甚至超越了技術規格更新一代的 DDR5，凸顯出供不應求的缺貨潮已同時蔓延至新舊兩代記憶體平台。
DDR4 與 DDR5 價格走勢對比
巴克萊數據指出，截至 10 月，DDR4 晶片合約價單月環比上漲 4%，三個月累計漲幅達到 24%。相較之下，市場主流新技術 DDR5 同期單月環比上漲 3%，三個月累計漲幅為 20%。雖然 DDR5 規格較新，但舊款規格的漲勢更為凌厲，反映市場對於成熟世代產品的供應吃緊狀況。
| 記憶體規格 | 單月環比漲幅 | 近三個月累計漲幅 |
|---|---|---|
| DDR4 | 4% | 24% |
| DDR5 | 3% | 20% |
長約機制變化與市場定價模式
巴克萊進一步分析，當前持續的記憶體短缺促使儲存晶片業務更加仰賴長期協議，這為供應商帶來了營運的可預測性。目前簽署的供應協議價格已更貼近市場即時定價趨勢，過去合約中常見的價格上下限保護機制正逐漸淡化。
花旗預警：DRAM 與 NAND 供應缺口恐延續至 2028 年
此市場趨勢亦獲得花旗（Citi）分析報告的呼應。花旗預估 DRAM 與 NAND 快閃記憶體市場的供需失衡將一路持續至 2028 年。根據供需比模型預測，DRAM 的供應缺口預計在 2027 年第四季達到 13.9% 的峰值；而 NAND 的缺口則預計在 2028 年第一季達到 8.3% 的峰值，隨後數月才可能稍微緩解。
AI 浪潮帶動 HBM 排擠產能
造成供應緊縮的核心原因之一，在於以 AI 為核心的 HBM（高頻寬記憶體）需求激增。由於 HBM 製造極度依賴 DRAM 晶圓產能，各大晶片製造商紛紛將生產重心全面向 DRAM 傾斜，這進一步排擠了 NAND 產能配置，形成記憶體產業鏈的連鎖緊縮效應。
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