由矽谷華人許富菖創立的人工智慧記憶體公司 NEO Semiconductor，於全球記憶體與儲存產業年度盛會 Future Memory and Storage（FMS 2026）發表新一代 AI 晶片內建記憶體技術 X-SRAM，並同步推出 NEO.AI 平台，瞄準生成式 AI 與大型語言模型持續擴大的記憶體需求。
宏碁集團創辦人施振榮透過旗下智榮基金會發布新聞稿表示，AI 正快速改變全球產業，記憶體將是支撐下一階段 AI 發展的重要關鍵。他指出，NEO Semiconductor 持續推出 X-SRAM 與 NEO.AI 等技術，為突破 AI 記憶體瓶頸提供新的方向，並期待相關創新能為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。
傳統 SRAM 面臨微縮與容量限制
隨著生成式 AI 和大型語言模型快速發展，AI 晶片需要處理的資料量持續增加，對晶片內建記憶體容量與頻寬的要求也同步提高。然而，傳統 SRAM（靜態隨機存取記憶體）在先進製程下逐漸接近微縮極限，讓晶片內建快取容量的成長受到限制。
當內建記憶體不足時，AI 晶片可能需要更頻繁地存取外部記憶體，例如高頻寬記憶體（HBM）。這類資料搬移不僅會增加系統功耗，也可能影響 AI 運算的整體效率，因此如何在晶片內提供更大容量的高速記憶體，成為 AI 加速器設計的重要課題。
X-SRAM 主打提升記憶體密度
NEO Semiconductor 表示，X-SRAM 採用全新記憶體架構，記憶體密度最高可達傳統 SRAM 的 5 倍。按照公司提出的估算，這項技術有望讓 AI 晶片的內建記憶體容量，從目前約 200 至 400MB 提升至 1 至 2GB。
除了增加容量，NEO Semiconductor 也預估，X-SRAM 可讓 AI 晶片降低 HBM 存取功耗約 50% 至 80%。不過，這些數據屬於公司針對技術效益提出的預估，實際表現仍可能受到製程節點、晶片架構、工作負載與產品整合方式等因素影響。
NEO.AI 平台同步推出
NEO Semiconductor 此次也同步推出 NEO.AI 平台，定位為支援 AI 晶片內建記憶體需求的整體方案。來源資料指出，該平台與 X-SRAM 一同用於處理 AI 晶片在記憶體容量方面的挑戰，但未進一步揭露平台的具體軟體組成、支援的製程節點、產品量產時程或合作客戶。
若 X-SRAM 的密度與功耗表現能在實際產品中達成，增加晶片內建記憶體容量，可能有助於減少部分資料往返外部 HBM 的需求，進而改善 AI 加速器的能效與資料處理效率。然而，AI 晶片的整體效能仍取決於運算單元、記憶體頻寬、封裝、製程與軟體堆疊等多項條件，不能僅以記憶體容量單一指標判斷。
記憶體成為 AI 晶片競爭關鍵
目前 AI 運算的發展不只仰賴更強大的計算能力，也受到資料搬移成本與記憶體供應限制牽動。從晶片內建 SRAM、HBM 到先進封裝，業者正嘗試透過不同層級的記憶體設計，降低 AI 模型運算期間的資料存取延遲與能源消耗。
NEO Semiconductor 這次發表 X-SRAM 與 NEO.AI，反映 AI 記憶體市場正從單純追求容量，逐步延伸至記憶體架構、功耗與系統整合。至於相關技術能否進一步導入量產 AI 晶片，仍有待後續產品規格、實測數據及客戶採用進展確認。
