AI 摘要
- SK海力士正提高1c DRAM的生產比重。
- 1c DRAM預計在2027年初成為主力製程。
- HBM4E將採用1c DRAM作為核心晶片。
據業界消息指出，SK海力士（SK Hynix）正加快10奈米級第6代製程（1c）DRAM的產能轉換，並持續提高相關產品的生產比重。若目前規劃順利，1c DRAM預計在2027年初成為SK海力士的主力製程。
1c DRAM 生產比重持續提升
1c DRAM屬於10奈米級第6代DRAM製程。消息顯示，SK海力士目前正快速擴大該製程的生產規模，反映其記憶體產品製程布局正逐步由既有世代轉向1c。
目前資訊僅指出SK海力士正加快製程轉換，並預期1c DRAM在2027年初成為主力製程；實際產能配置與量產進度，仍需以公司後續公告為準。
HBM4E 將採用 1c DRAM 作為核心晶片
製程轉換加速的另一項背景，是第七代高頻寬記憶體（HBM4E）將導入1c DRAM作為核心晶片。隨著HBM產品持續演進，SK海力士也同步推進1c DRAM的生產布局，以配合後續HBM4E產品需求。
製程轉換對記憶體布局的影響
若1c DRAM能在2027年初成為主力製程，SK海力士的DRAM生產結構將進一步轉向新一代10奈米級製程。不過，現階段公開資訊未提供1c DRAM的具體產能、良率、產品比例或HBM4E量產時程，因此相關影響仍有待後續供應鏈與公司資訊確認。
Reference Link : digitimes.com.tw
