AI 摘要
- 長江存儲與長鑫存儲分別跨足對方的 DRAM 與 NAND 領域，預計最快 2028 年正面交鋒。
- 長江存儲規劃於 2026 年底試產 LPDDR5，長鑫存儲則傳出在北京設立 NAND 產線。
- 長江存儲握有 Xtacking 關鍵技術專利，長鑫存儲跨足 3D NAND 將面臨專利與設備雙重考驗。
全球人工智慧（AI）與雲端應用的爆發式成長，推升各界對記憶體貨源的緊迫需求，帶動 DRAM 與 NAND Flash 身價持續飆升。在整體市場陷入嚴重缺貨的背景下，中國兩大指標性記憶體廠商長江存儲與長鑫存儲原本分別深耕 NAND Flash 與 DRAM 的平衡格局正被打破，雙方相互擴大版圖，預計最快將於 2028 年迎來正面對決。
長江存儲跨界布局 DRAM，鎖定 LPDDR5 與 HBM
以獨家 Xtacking 架構技術立足市場的長江存儲，不僅成功推進至 270 層與 294 層 3D NAND 開發，如今更進一步跨足 DRAM 領域。據供應鏈消息，長江存儲規劃的三期項目預計於 2026 年底展開試產，初期規劃約 2.5 萬片 DRAM 產能，並力拼 2027 年完成產能爬坡。
長江存儲初期首波產品鎖定 LPDDR5，並預留後續擴產空間。未來規劃的兩座新廠將持續放大 DRAM 量產規模，同時長江存儲亦將高頻寬記憶體（HBM）與 3D DRAM 的研發正式納入技術發展藍圖中。
長鑫存儲進軍 NAND Flash，面臨技術與專利門檻
專注於 DRAM 領域的長鑫存儲亦展現競爭態勢，傳出將於北京設置 NAND Flash 研發生產線，甚至從長江存儲內部挖角研發人才。業界推估，長鑫存儲的 NAND 產線最快將在 2028 至 2029 年進入量產階段。
然而，長鑫存儲跨足 3D NAND 面臨兩大核心挑戰：
- 美國設備禁令限制：美方目前依舊嚴格禁止美系企業向中國輸出製造 128 層及以上 3D NAND 的先進半導體設備。
- 專利侵權風險：長江存儲已將混合鍵合（Hybrid Bonding）架構的 Xtacking 技術確立為高堆疊關鍵路線，甚至三星電子（Samsung Electronics）亦在 2025 年與長江存儲簽訂專利許可協議，規劃從第 10 代 V-NAND（V10）開始導入其技術。長鑫存儲若進入量產，勢必面臨長江存儲嚴密的專利審視與潛在法律攻防。
從聯手發展轉向生態對抗，國際市場帶來轉單契機
過去在中國推動半導體供應鏈國產化的政策下，長江存儲與長鑫存儲維持著分工合作模式，共同投資本土半導體設備。然而，隨著雙方各自跨足對方核心業務，競爭格局日益尖銳，未來相關供應鏈可能將面臨選邊站的局面。
另一方面，受限於美、日、韓等國際原廠在記憶體缺貨之際大幅拉抬報價且產能不足，部分系統廠與終端品牌客戶已開始尋求中國替代貨源。這不僅為長江存儲與長鑫存儲打入國際品牌供應鏈提供了契機，也成為終端業者分散供應風險與議價的重要籌碼。
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