AI 摘要
- Micron 據報將 16Gb／2GB GDDR7 記憶體列入 EOL 並轉向高密度 3GB 規格。
- 單顆 3GB 模組可在不更動顯示卡匯流排與晶片數量下提升 50% VRAM 容量。
- 高階 GPU 已率先導入 3GB 晶片，中低階產品則受初期成本差異影響逐步轉換。
顯示記憶體供應鏈近期出現重要調整跡象。根據硬件爆料來源 UNIKO’s Hardware 與外媒 VideoCardz 報導，記憶體大廠美光（Micron）已將 16Gb（即單顆 2GB）GDDR7 顯示記憶體逐步自公開產品目錄中移除，並標記為進入產品生命週期終點（EOL, End of Life）。此舉意味著 Micron 正加速推動產能轉型，將研發與量產重心轉向密度更高的 24Gb（單顆 3GB）GDDR7 規格。
16Gb 模組步入 EOL，官方產品目錄移除規格資料
在本次供應鏈異動中，最受矚目的型號為 Micron MT68A512M32DF-28:A。該晶片規格為單顆 16Gb／2GB、傳輸速度達 28Gbps，曾被規劃用於部分 NVIDIA GeForce RTX 50 系列中階顯示卡，例如配置 4 顆 2GB 晶片組成 8GB VRAM 的 GALAX RTX 5060 機型。目前 Micron 產品目錄顯示兩款 16Gb GDDR7 晶片已標示為 EOL，且公開規格頁面已撤除相關技術資料。
不過，分析指出此跡象反映的是 Micron 自身產品組合與產能調配的方向，並不代表市場上所有 2GB GDDR7 全面停產；其他記憶體製造商如三星（Samsung）及 SK 海力士（SK hynix）仍維持該容量級別的供應體系。
3GB GDDR7 全面就位：PCB 佈線不變即可增加 50% 容量
與此同時，Micron 已於產品目錄中擴大列出 24Gb／3GB GDDR7 規格。其中 28GT/s 型號已正式進入量產階段，32GT/s 型號則處於送樣（sampling）階段，原廠更預告未來具備推向 36Gb/s 的潛力。
高密度晶片對顯示卡架構設計帶來顯著優勢。在不改變記憶體匯流排寬度（Bus Width）與 PCB 晶片焊位數量的前提下，顯示卡廠商無需負擔額外的雙面打件複雜度或大幅修改供電走線，即可直接將 VRAM 總量提升 50%：
- 4 顆晶片配置（128-bit）：採用 2GB 模組總計 8GB；升級 3GB 模組後可達 12GB。
- 8 顆晶片配置（256-bit）：採用 2GB 模組總計 16GB；升級 3GB 模組後可達 24GB。
高階硬體率先導入，成本差異仍影響普及進程
目前 3GB GDDR7 晶片已具備商業化落地基礎。NVIDIA 旗下的高階產品線如 GeForce RTX 5090 筆記型電腦 GPU、桌面版 RTX 5090，以及工作站級別的 RTX PRO 6000 Blackwell 等，均已採用 24Gb GDDR7 模組。
然而，供應鏈端指出 24Gb 模組目前的單位成本仍明顯高於 16Gb 規格，成本溢價亦被市場推測為部分 RTX 50 SUPER 等中階衍生產品上市時程調配的關鍵變數。短期內，GPU 原廠在中低階產品線上仍可能透過不同記憶體供應商採購 2GB 顆粒以控制終端售價，3GB 模組則優先向高附加價值產品擴散。
未來路線圖延伸至 6GB，AI 與遊戲需求推動大容量規格
市場長期路線顯示，GDDR7 的容量演進尚未止步。供應鏈消息傳出 32Gb（4GB）乃至 48Gb（6GB）GDDR7 規格有望於 2027 至 2028 年問世。屆時，即使是 128-bit 匯流排的中階顯示卡，亦有機會透過 4 顆晶片達成 16GB 甚至 24GB 的配置。
隨著 4K 解析度材質、即時光線追蹤遊戲以及本機端生成式 AI 與大型語言模型推論普及，硬體端對顯示記憶體頻寬與容量的需求同步激增。Micron 將產品策略轉向高密度 GDDR7，預示著顯示記憶體技術重心正從純粹追求傳輸頻寬，轉為頻寬與晶片密度並重的全新發展階段。
Reference Link : pcmarket.com.hk
