Qualcomm 今日在北京舉行的亞洲首秀活動中介紹全新 10nm 移動平台 Snapdragon 835 ，是首款採用 10nm FinFET 工藝節點實現商用製造的移動平台，能夠提供出色的續航力、增強多媒體、卓越拍攝體驗及千兆級傳輸速率，並表示搭載 Snapdragon 835 處理器的手機即將面世。
Qualcomm 全新 Snapdragon 835 是首款 10nm 工藝製程的移動平台，擁有超過 30 億個晶體管， Snapdragon835 的封裝尺寸與上一代旗艦處理器相比減小了 35% ，並降低 25% 功耗。其搭載 Kryo 280 八核心 CPU ，由 4 顆時脈達 2.45GHz 的性能核心，以及 4 顆時脈達 1.9GHz 的核心組合而成，搭配 Adreno 540 GPU ，圖形速度提升 25% ，色彩提升 60 倍，並支援 4K@60FPS 、 10 位色深、 DP 、 HDMI 及 USB-C 視頻傳輸。
Snapdragon 835 除了在視覺處理和安全、音頻等等方面同樣有所提升之外， Qualcomm 亦特意提到 Snapdragon 835 能夠支援 Qualcomm 第四代 Quick Charge4 快速充電技術，可以實現充電 15 分鐘充電量 50% 。
據 Qualcomm 表示， Snapdragon 835 現已投入量產階段，預計搭載 Snapdragon 835 處理器的手機於今年第二季開始陸續面世。
