Intel 在「Intel Architecture Day 2020」公布全新的 10nm SuperFin 製程技術。這項技術在 Intel 宣布 7nm 製程延期後受到外界關注，官方則形容 SuperFin 是公司歷來最強的單一製程節點內效能升級，提升幅度可與完整製程節點轉換相提並論。
Intel 首席架構師 Raja Koduri 表示，團隊多年持續改良 FinFET 電晶體技術，這次重新設計相關結構，目標是帶來相當於轉換至新製程節點的效能改善。Intel 也指出，SuperFin 技術可讓 10nm 製程在效能表現上接近下一個製程世代，但實際產品表現仍會受到架構、功耗、時脈與應用情境影響。
SuperFin 結合改良 FinFET 與 Super MIM 電容
10nm SuperFin 將 Intel 增強型 FinFET 電晶體與 Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容器結合，透過改善電流傳輸、通道遷移率、互連效能及供電穩定性，提升整體晶片效能。
- 強化源極與汲極磊晶：提升結構應力並降低電阻，讓更多電流通過通道。
- 改良柵極製程：提高通道遷移率，使電荷載子能更快速移動。
- 增加柵極間距選項：讓需要極致效能的特定晶片功能取得更高驅動電流。
- 降低通孔電阻：新型薄阻障層可使通孔電阻降低 30%，改善互連效能。
- 採用 Super MIM 電容：在相同佔用面積下，電容量據稱為業界標準的 5 倍，有助降低電壓驟降並提升產品效能。
Intel 表示，Super MIM 電容使用新型 Hi-K 介電材料，將厚度僅數埃、亦即約 10-10 公尺的超薄層堆疊成重複的「超晶格」結構。Intel 稱這是業界首創設計，並宣稱其能力領先其他製造商現有製程。
Intel 宣稱單節點效能提升超過 15%
根據 Intel 的說法，經過 SuperFin 電晶體等技術強化後，10nm 製程可實現超過 15% 的節點內效能提升。作為比較，台積電過去公布的資料顯示，5nm 製程相較於 7nm 製程的效能提升同樣約為 15%。
來源內容據此推測，若 Intel 第一代 10nm 製程效能已可與台積電 7nm 製程相提並論，採用 SuperFin 的 10nm 製程或有機會接近台積電 5nm 製程。不過，這類製程比較涉及不同公司的設計規則、功耗條件、密度定義與測試方法，不能僅以單一效能百分比直接判定兩者具備完全相同的實際表現。
改用 10SF 與 10ESF 命名
Intel 過去持續延伸 14nm 製程，業界因此以 14nm+、14nm++ 等方式區分不同版本。為避免未來再次使用大量「+」號，Intel 將新的 10nm+ 製程命名為 10nm SuperFin，簡稱 10SF。
SuperFin 之後的下一代製程則稱為 10nm Enhanced SuperFin，簡稱 10ESF，不再以「10nm++」作為正式介紹名稱。這項命名調整主要反映製程版本的技術定位，並不代表製程節點數字本身發生改變。
率先應用於第 11 代 Core Tiger Lake
Intel 表示，10nm SuperFin 將率先用於第 11 代 Core 系列的 Tiger Lake 行動版處理器。搭載 Tiger Lake 的新款行動電腦，預計由 OEM 廠商在 2020 年第四季的節慶銷售季推出。
Tiger Lake 將成為 SuperFin 技術首批面向市場的產品，因此其實際效能、功耗與裝置續航表現，將提供外界評估這項製程升級是否能落實 Intel 所宣稱效益的重要依據。
Reference Link : hkepc.com
