SK海力士正式啟動美國首座先進封裝廠的建設，並公布該設施預計自2029年第三季起量產第七代高頻寬記憶體（HBM4E）。公司規劃透過這座位於美國的設施，完成高頻寬記憶體的先進封裝與測試，建立涵蓋南韓與美國的HBM生產鏈。
美國先進封裝廠預計2029年量產
根據目前公布的規劃，SK海力士美國先進封裝廠將於2029年第三季開始量產HBM4E，年產能可望達到數十萬片。這座工廠被定位為SK海力士在美國布局先進封裝能力的重要據點，也是其在南韓以外建置HBM相關封裝與測試流程的關鍵設施。
目前來源資訊未公布工廠的確切所在地、投資金額、建廠規模，以及各階段的詳細施工時程。因此，實際產能與量產進度仍須以SK海力士後續公告為準。
形成韓美分工的HBM生產鏈
SK海力士規劃採取「南韓製造HBM晶圓、美國完成先進封裝與測試」的分工模式。換言之，HBM相關晶圓製程仍由南韓負責，之後再運往美國進行後段的先進封裝及測試，藉此建立跨兩地的HBM生產鏈。
這項布局也代表SK海力士將把部分HBM後段製造能力移至美國。若能依照計畫推進，該公司未來可在美國提供具備封裝與測試流程的HBM產品，並強化其在當地的供應鏈配置。
HBM4E布局仍待更多技術細節
HBM4E是SK海力士規劃量產的第七代高頻寬記憶體產品。高頻寬記憶體通常透過多層堆疊與先進封裝技術提升資料傳輸能力，主要應用於人工智慧運算與高效能運算等對記憶體頻寬有高度需求的場景。
不過，現階段公開資訊尚未說明HBM4E的具體規格，包括堆疊層數、傳輸速度、單顆容量、封裝形式及客戶配置等，亦未公布美國廠的設備導入與良率目標。至於2029年第三季能否按照原定計畫進入量產，仍取決於建廠、設備安裝、製程驗證與客戶認證等後續進度。
對美國AI供應鏈的可能影響
隨著AI加速器與高效能運算需求持續推升，HBM已成為先進運算平台的重要記憶體元件。SK海力士在美國建立先進封裝及測試能力，可能有助於增加當地HBM供應鏈的製造環節，並縮短部分產品後段製程與美國市場之間的距離。
然而，這項計畫目前仍處於建設與長期產能規劃階段。美國廠的實際產出、產品比例及對整體HBM供應量的影響，仍須等待工廠完工、量產驗證及後續客戶需求進一步確認。
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